Ingénierie, études techniques
Aucun établissement en activité
L’activité enregistrée de AVENI est « Ingénierie, études techniques ».
Adresse du siège
91 — Essonne · Île-de-France
Capital social
664 k €
Au jour de la publication
Score OpenBase
Non évaluable
aucun compte disponible dans notre base · aucune procédure connue
Données extraites des comptes annuels déposés au greffe (INPI). La publication peut être partielle si l'entreprise a opté pour la confidentialité des comptes.
9 dirigeants · 2 commissaires
BRUNO MOREL
THIERRY FRIED
FREDERIC ANDRE MARCEL RAYNAL
Air Liquide Investissements d'Avenir et de Démonstration
AURIGA PARTNERS
IDINVEST PARTNERS
MERCK VENTURES B.V.
PATRICK GEORGES SUEL
SUNG HOON YANG
Commissaires aux comptes et aux apports
4 référencés dans notre base · 0 en activité · 4 fermés
Fichier officiel réconcilié : 12/10/2026. Consulter la fiche officielle.
Adresse : BATIMENT APOLLO 4 RUE RENE RAZEL, 91400 SACLAY
Création : 27/05/2021
Activité : Ingénierie, études techniques (71.12B)
Adresse : PARC D'ACTIVITES MASSY EUROPE 15 RUE DU BUISSON AUX FRAISES
Création : 04/03/2004
Activité : Ingénierie, études techniques (71.12B)
Adresse : BAT 466 CTRE ENERGIE ATOMIQUE, 91400 SACLAY
Création : 03/09/2001
Activité : Ingénierie, études techniques (74.2C)
Adresse : 2 RUE JEAN ROSTAND, 91400 ORSAY
Création : 08/08/2001
Activité : Administration d'entreprises (74.1J)
Entreprise radiée, dans le secteur « ingénierie, études techniques », basée à SACLAY, créée en 2001. Statut actuel : radiée.
Synthèse descriptive des données disponibles. L’absence de signal ne permet pas de conclure à l’absence de risque ; la croissance exige des comptes comparables sur plusieurs exercices.
Analyse générée automatiquement à partir des données publiques (INSEE, INPI, BODACC). Ne constitue ni un avis d'investissement, ni une recommandation commerciale, ni une évaluation de solvabilité.
2 publications officielles
Événements RNE référencés. Un événement ne correspond pas nécessairement à un acte PDF disponible.
Source : Registre National des Entreprises (RNE) — INPI. Documents publics lorsqu’ils sont disponibles, sinon fiche de l’Annuaire des Entreprises.
Demandes de brevets déposées (source MESRE / PATSTAT)
Données historiques : les dates de publication figurent sur chaque brevet. Cette liste ne garantit pas la couverture des dépôts récents.
Electrolyte comprising an accelerator agent for bottom-up copper electroplating and electrochemical copper deposition process on a substrate comprising at least one conductive exposed surface
N° TW202403116A
ELECTROLYTE COMPRISING AN ACCELERATOR AGENT FOR BOTTOM-UP COPPER ELECTROPLATING
N° WO2023194802A1
METHOD OF METALLIZATION WITH A NICKEL OR COBALT ALLOY FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES
N° WO2023187473A1
Method of metallization with a nickel or cobalt alloy for the manufacture of semiconductor devices
N° TW202403100A
ELECTROLYTE AND METHOD FOR COPPER AND GRAPHENE ELECTRODEPOSITION
N° WO2022243462A1
Electrolyte and method for copper and graphene electrodeposition
N° TW202307279A
Electrolyte and method for cobalt electrodeposition
N° TW202235687A
ELECTROLYTE AND METHOD FOR COBALT ELECTRODEPOSITION
N° WO2022175137A1
Electrolyte and Method for Cobalt Electrodeposition
N° US2024133028A1
Process for fabricating a 3D-NAND flash memory
N° TW202220112A
PROCESS FOR FABRICATING A 3D-NAND FLASH MEMORY
N° WO2022074221A1
Electrodeposition of a cobalt or copper alloy, and use in microelectronics
N° IL284987A
Electrolyte and deposition of a copper barrier layer in a damascene process
N° TW202208694A
Electrolyte and Deposition of a Copper Barrier Layer in a Damascene Process
N° US2023282485A1
ELECTROLYTE AND DEPOSITION OF A COPPER BARRIER LAYER IN A DAMASCENE PROCESS
N° EP4189145A1
ë‹¤ë§ˆì‹ ê³µì •ì—서 구리 ë°°ë¦¬ì–´ì¸µì˜ ì „í•´ì§ˆ ë° ì¦ì°©
N° KR20230085131A
ELECTROLYTE AND DEPOSITION OF A COPPER BARRIER LAYER IN A DAMASCENE PROCESS
N° WO2022012993A1
Electrolyte et procédé d'électrodéposition de cobalt et de graphène
N° FR3124197A1
Electrolyte et procédé d'électrodéposition de cuivre et de graphène
N° FR3123076A1
Method for fabricating 3D NAND using a nickel or cobalt alloy
N° TW202208680A
METHOD FOR FABRICATING 3D NAND USING A NICKEL OR COBALT ALLOY
N° WO2021219744A1
니켈 ë˜ëŠ” 코발트 í•©ê¸ˆì„ ì‚¬ìš©í•œ 3D NAND ì œì¡° 방법
N° KR20210150415A
METHOD FOR FABRICATING 3D NAND USING A NICKEL OR COBALT ALLOY
N° EP4143882A1
Electrolyte et Procédé d’électrodéposition de cobalt
N° FR3119848A1
Méthode de fabrication de 3D-NAND mettant en œuvre un alliage de nickel ou de cobalt
N° FR3109839A1
Method for simulating the electrodeposition of a metallic layer on a wafer, and corresponding system
N° TW202131213A
METHOD FOR SIMULATING THE DEPOSITING BY ELECTRODEPOSITION OF A METALLIC LAYER ON A PLATE, AND CORRESONDING SYSTEM
N° WO2021079059A1
Procédé pour la fabrication d’une mémoire 3D-NAND
N° FR3115046A1
Procédé de fabrication additive d’une grille métallique pour dispositifs microélectroniques
N° FR3113849A1
Process for electrodeposition of cobalt
N° IL276902A
Electrolyte et dépôt d’une couche barrière au cuivre dans un procédé Damascène
N° FR3112559A1
Procédé de métallisation d’un substrat semi-conducteur, électrolyte et méthode de fabrication de 3D-NAND
N° FR3109840A1
Electrodeposition of a cobalt or copper alloy, and use in microelectronics
N° TW202045778A
ELECTRODEPOSITION OF A COBALT OR COPPER ALLOY, AND USE IN MICROELECTRONICS
N° EP3921460A1
ELECTRODEPOSITION OF A COBALT OR COPPER ALLOY, AND USE IN MICROELECTRONICS
N° CN113383115A
ELECTRODEPOSITION OF A COBALT OR COPPER ALLOY, AND USE IN MICROELECTRONICS
N° US2022090283A1
코발트 ë˜ëŠ” 구리 í•©ê¸ˆì˜ ì „ì°© ë° ë§ˆì´í¬ë¡œì¼ë ‰íŠ¸ë¡œë‹‰ìŠ¤ì—ì„œì˜ ì‚¬ìš©
N° KR20210124422A
ELECTRODEPOSITION OF A COBALT OR COPPER ALLOY, AND USE IN MICROELECTRONICS
N° WO2020161256A1
Electrodéposition d’un alliage de cobalt ou de cuivre, et utilisation en microélectronique
N° FR3092590A1
Procédé simulation de dépôt par électrodéposition d’une couche métallique sur une plaquette, et système correspondant
N° FR3102593A1
Copper electrodeposition solution and process for high aspect ratio patterns
N° IL267531A
Method for temporary or permanent wafer bonding
N° TW202004995A
METHOD FOR TEMPORARY OR PERMANENT WAFER BONDING
N° WO2019202067A1
Process for electrodeposition of cobalt
N° TW201940746A
PROCESS FOR ELECTRODEPOSITION OF COBALT
N° EP3768880A1
PROCESS FOR ELECTRODEPOSITION OF COBALT
N° WO2019179897A1
PROCESS FOR ELECTRODEPOSITION OF COBALT
N° CN111771016A
Process for electrodeposition of cobalt
N° US2021079547A1
코발트 ì „ì°© ê³µì •
N° KR20200117024A
Electrodéposition d’un alliage de cobalt et utilisation en microélectronique
N° FR3092589A1
PROCEDE D'ELECTRODEPOSITION DE COBALT
N° FR3079241A1
PROCEDE D'ELECTRODEPOSITION DE COBALT
N° FR3079242A1
Copper electrodeposition solution and process for high aspect ratio patterns
N° TW201833390A
ë†’ì€ ì¢…íš¡ë¹„ íŒ¨í„´ì„ ìœ„í•œ 구리 ì „ì°© 용액 ë° ê³µì •
N° KR20190097129A
COPPER ELECTRODEPOSITION SOLUTION AND PROCESS FOR HIGH ASPECT RATIO PATTERNS
N° EP3562975A1
COPPER ELECTRODEPOSITION SOLUTION AND PROCESS FOR HIGH ASPECT RATIO PATTERNS
N° WO2018122216A1
Copper electrodeposition solution and process for high aspect ratio patterns
N° US2018363158A1
COPPER ELECTRODEPOSITION SOLUTION AND PROCESS FOR HIGH ASPECT RATIO PATTERNS
N° CN110168146A
SOLUTION D'ELECTRODEPOSITION DE CUIVRE ET PROCEDE POUR DES MOTIFS DE FACTEUR DE FORME ELEVE
N° FR3061601A1
Process for copper metallization and process for forming a cobalt or a nickel silicide
N° TW201727829A
CELL FOR A CHEMICAL REACTION WITH REDUCED VOLUME
N° EP3181732A1
PROCESS FOR COPPER METALLIZATION AND PROCESS FOR FORMING A COBALT OR A NICKEL SILICIDE
N° WO2017102834A1
PROCESS FOR GRAFTING A POLYMERIC THIN FILM ONTO A SUBSTRATE AND PROCESS FOR METALLIZING THIS THIN FILM
N° EP3359306A2
PROCESS FOR GRAFTING A POLYMERIC THIN FILM ONTO A SUBSTRATE AND PROCESS FOR METALLIZING THIS THIN FILM
N° WO2017060656A2
Copper electrodeposition process using tetramethylammonium
N° TW201804022A
Copper electrodeposition bath containing an electrochemically inert cation
N° IL246035A0
PROCEDE DE METALLISATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AVEC DU CUIVRE METTANT EN OEUVRE UN SILICIURE DE COBALT OU DE NICKEL
N° FR3045674A1
CELLULE POUR UNE REACTION CHIMIQUE A FAIBLES VOLUMES MORTS
N° FR3045676A1
Procédé de gravure chimique du dioxyde de silicium.
N° CH710482A2
PROCEDE DE GREFFAGE DE FILM MINCE POLYMERIQUE SUR SUBSTRAT ET PROCEDE DE METALLISATION DE CE FILM MINCE
N° FR3042133A1
Method for forming a metal silicide using a solution containing gold ions and fluorine ions
N° IL240138A0
Electrolyte and process for electroplating copper onto a barrier layer
N° IL237731B
PROCEDE DE GRAVURE CHIMIQUE DU DIOXYDE DE SILICIUM
N° FR3030108A1
MESA SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD
N° WO2015082828A1
COPPER ELECTRODEPOSITION BATH CONTAINING AN ELECTROCHEMICALLY INERT CATION
N° WO2015086180A1
Copper electrodeposition bath containing electrochemically inert cation
N° CN105899715A
Copper electrodeposition bath containing an electrochemically inert cation
N° US2015159291A1
COPPER ELECTRODEPOSITION BATH CONTAINING AN ELECTROCHEMICALLY INERT CATION
N° EP3080340A1
COPPER ELECTRODEPOSITION BATH CONTAINING AN ELECTROCHEMICALLY INERT CATION
N° SG11201604646TA
COPPER ELECTRODEPOSITION BATH CONTAINING AN ELECROCHEMICALLY INERT CATION
N° KR20160105808A
Machine suitable for plating a cavity of a semi-conductive or conductive substrate such as a through via structure
N° IL232679A0
Method for forming a metal silicide using a solution containing gold ions and fluorine ions
N° CN105074052A
METHOD FOR FORMING A METAL SILICIDE USING A SOLUTION CONTAINING GOLD IONS AND FLUORINE IONS
N° SG11201505902TA
Method for forming a metal silicide using a solution containing gold ions and fluorine ions
N° US2015380254A1
METHOD FOR FORMING A METAL SILICIDE USING A SOLUTION CONTAINING GOLD IONS AND FLUORINE IONS
N° WO2014128420A1
METHOD FOR FORMING A METAL SILICIDE USING A SOLUTION CONTAINING GOLD IONS AND FLUORINE IONS
N° EP2959036A1
METHOD FOR FORMING A METAL SILICIDE USING A SOLUTION CONTAINING GOLD IONS AND FLUORIDE IONS
N° KR20150125684A
METHOD FOR FORMING A METAL SILICIDE USING A SOLUTION CONTAINING GOLD IONS AND FLUORINE IONS
N° CA2899179A1
Method for forming a vertical electrical connection in a layered semiconductor structure
N° IL229519A0
Semiconductor device and its process of manufacture
N° TW201428923A
SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS METHOD OF FABRICATION
N° WO2014076431A2
Method of depositing metallic layers based on nickel or cobalt on a semiconducting solid substrate and kit for application of said method
N° IL228837A0
Electrolyte and process for electroplating copper onto a barrier layer
N° TW201418528A
ELECTROLYTE AND METHOD FOR ELECTRODEPOSITING COPPER ONTO A BARRIER LAYER
N° CA2885231A1
ELECTROLYTE AND PROCESS FOR ELECTROPLATING COPPER ONTO A BARRIER LAYER
N° KR20150056655A
Electrolyte and method for electrodepositing copper onto a barrier layer
N° CN104685107A
ELECTROLYTE AND PROCESS FOR ELECTROPLATING COPPER ONTO ABARRIER LAYER
N° SG11201502044VA
ELECTROLYTE AND METHOD FOR ELECTRODEPOSITING COPPER ONTO A BARRIER LAYER
N° WO2014044942A1
Electrolyte and process for electroplating copper onto a barrier layer
N° US2015218724A1
ELECTROLYTE AND METHOD FOR ELECTRODEPOSITING COPPER ONTO A BARRIER LAYER
N° EP2898121A1
Signaux référencés dans les sources disponibles · couverture partielle
—
Procédure collective référencée
2
Annonces BODACC
—
Décisions référencées
Chargement…
État des informations disponibles, source par source.
Identité (raison sociale, siège, NAF)
INSEE Sirene
dernière collecte enregistrée le 25/07/2026 ; ne vaut pas vérification actuelle
Dirigeants & mandats
INPI RNE
Mandats référencés ; dernier import RNE le 25/07/2026
Comptes annuels / bilans
INPI RNE
aucun bilan disponible dans notre base ; cela ne prouve pas l’absence de dépôt
Annonces BODACC
BODACC (DILA)
2 annonces, dernière publication 19/10/2025
Points d'attention
Les imports suivent le rythme de chaque source et ne réactualisent pas chaque fiche chaque nuit. Une date de publication ou de clôture n’est pas une date de vérification. Cet état ne constitue pas une attestation. CGV section 9 quater.
C'est votre entreprise ? Affichez le badge « données vérifiées » sur votre site — gratuit.
Dernière collecte de l’identité enregistrée le 25/07/2026
Insee · RNE (INPI) · BODACC · data.gouv.fr · Judilibre (PISTE)
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Mandats et fonctions déclarés au RNE. Ces liens ne prouvent pas une détention du capital.
AURIGA PARTNERS
2,5 M €
DOUCET BETH & ASSOCIES
1,2 M €
AIR LIQUIDE INVESTISSEMENTS D'AVENIR ET DE DEMONSTRATION
EURAZEO INVESTMENT MANAGER - EIM
radiéeSociété radiée7 entreprises partagent un dirigeant commun
DOUCET BETH & ASSOCIES
ORCHESTRE COLONNE
SOFTREPORT
SCIC HABITATS SOLIDAIRES
LLI RESIDENCES
AGRINATURA - EEIG
HANNAHXEL
Position de cette entreprise dans son secteur (NAF 71.12B · Ingénierie, études techniques) — 98 177 sociétés actives.
Position CA
CA non publié — position non calculable.
CA médian secteur
271 k€
sur 19 217 entreprises avec CA publié
Effectif médian secteur
—salariés
Trop peu d'effectifs déclarés dans ce secteur
Distribution CA secteur
≤ 91 k€
Bas du marché
≤ 271 k€
Médiane
≤ 1 M€
Q3
> 1 M€
Top 25%
Même activité (NAF 71.12B · Ingénierie, études techniques) — sélection de sociétés actives, sans garantie de concurrence directe ni classement exhaustif.
CEVA AIR & OCEAN INTERNATIONAL
2,5 Md€
CA 2022
VOLTALIA
547 M€
MASTERIS
498 M€
CA 2024
VALEO COMFORT AND DRIVING ASSISTANCE
479 M€
CA 2024
INGEROP
458 M€
CA 2024
CAP INGELEC
446 M€
CA 2024
TP JGC CORAL FRANCE
440 M€
CA 2019
ERT TECHNOLOGIES (ERT TECHNOLOGIES)
425 M€
CA 2024